Ehrenring - Ring of Honor 2008


Prof. Dr. Dr. Herbert F. Mataré



  • Für seine im Jahre 1948 unabhängig und zeitgleich zu den Bell Labs gemachte Erfindung des Halbleiterverstärkers (Transistor), sowie für seine jahrzehntelangen herausragenden Leistungen auf dem Gebiet der Informationstechnologie, der Halbleiterphysik und der industriellen Halbleiterfertigung.
  • For his invention of the solid state amplifier in 1948, performed independently and parallel to Bell Lab s transistor. Further, in recognition of his important contributions to information technology, solid-state-physics and -manufacturing over a period of more than 60 years.

    • Curriculum vitae von Prof. Dr. Dr. Herbert F. Mataré
    22.09.1912 Geboren in Aachen.
    1934/35 Studium der Physik, Chemie und Mathematik an der Universität Genf.
    1935-39 Studium der Technischen Physik an der TH Aachen (Dipl.-Ing.).
    1939 Eintritt bei Telefunken in das Mikrowellenempfangslabor in Berlin.
    1942-44 Promotion an der TH Berlin (Dr.-Ing.).
    Umzug nach Leubus in Schlesien; dort erste Messung der Sperrschichtinteraktion in Halbleiter-Duodioden.
    1945 Dozent für Mathematik, Physik und Chemie an amerikanischen Militärakademien in Wabern und Eschwege.
    1946 Vorlesungsassistent am Institut für Physik und Elektrotechnik (Prof. Wilhelm Fucks und Prof. Walter Rogowski) in Aachen.
    Annahme des Angebots der Firma Westinghouse F&S in Paris, ein Halbleiterlabor aufzubauen, welches Mikrowellen-Dioden herstellen sollte (gemeinsam mit Heinrich Welker).
    1947-49 Wiederaufnahme der Duodioden-Versuche.
    Neues Patent für eine Duodiode mit getrennten Kristallen zur Vermeidung der Interaktion (US-Patent: 2,552.052).
    Interaktion der Sperrschichten und erste Verstärker- (Steilheits-)Messungen; erstes Transistron-Patent und erste Modelle im Mai/Juni 1948.
    1950 Promotion an der École Normale Superieure (ENS) in Paris (Dr.sc.phys.).
    Besuch von W. Shockley und W. Brattain im Labor in Paris.
    1950/51 Produktion von Transistoren mit optimaler Einstellung des Verstärkungsfaktors und des Frequenzverhaltens; erste Ausnutzung von Korngrenzen und erste Photo- Transistoren.
    Kontakt mit J. Michael in New York (New England Industries).
    Planung einer deutschen Dioden-Transistor-Herstellung.
    Das Keramik-Modell mit optimierter Einstellung erwies sich dem Bell-Lab-Muster überlegen.
    1952/53 Aufbau der Intermetall G.m.b.H. in Düsseldorf und erste Lieferung von Germanium- Dioden und Transistoren.
    Aufbau eines Labors für intermetallische Dioden und Silizium-Bauelemente. Ende 1953 erste Vorführung eines Transistorempfängers auf der Düsseldorfer Funkausstellung.
    1953/54 Verkauf der Intermetall G.m.b.H.
    Vortragsreise durch die USA und Annahme eines Angebots des Departments of Defense in New Jersey.
    1954 Übersiedlung nach New Jersey.
    Beratungspositionen bei vier verschiedenen Signal Corps Laboratorien.
    1955 Annahme eines Angebots der Tung-Sol Electric Corporation in Bloomfield um dort eine Transistorproduktion aufzubauen.
    Erste Arbeiten zur Herstellung definierter Korngrenzen und erste Planung zur Herstellung von Czochralski-Silizium-Kristallen im Vakuum.
    1956-60 Übernahme des Halbleiterlabors der Sylvania Corporation in Bayside/New Jersey. Erste Arbeiten zur Nutzung der Zyklotronresonanz in Halbleiterkristallen (mehrere Patente).
    1961 Teilnahme an der TEKADE-Forschungsgruppe am Colloque International sur les dispositifs à semiconducteurs à Paris ; Präsident der Veranstaltung: Louis de Broglie.
    1962 Annahme des Angebots der Bendix Corporation in Southfield/Michigan dort ein Labor für Quantenelektronik aufzubauen.
    Patente zum Licht-Potentiometer, zur Doppeltiegel-Czochralski-Methode und erste Versuche zur TV-Übertragung durch optische Kanäle (Lichtwellenleiter).
    1963-70 Umzug nach Kalifornien und Annahme des Angebots zur Leitung des Forschungslabors der Lear-Sieler Corporation.
    Nach Umzug des Labors nach Michigan, Annahme des Angebots der Douglas Aircraft Corporation in Santa Monica ein Halbleiterlabor einzurichten.
    Science advisor bei Rockwell International in Annaheim/Kalifornien.
    Seit 1970 Aufbau der
    INTERNATIONAL SOLID STATE ELECTRONICS CONSULTANTS/ USA;
    Life Fellow des IEEE;
    Member Emeritus der NEW YORK ACADEMY OF SCIENCES.

    Prof. Dr. Dr. Herbert F. Mataré hat international mehr als 80 Patente angemeldet.  

    Prof. Dr. Dr. Herbert F. Mataré,
    a German Inventor of the Transistor

    Herbert F. Mataré is a German physicist who in 1948 independently together with Heinrich Welker came up with the invention of the transistor at a Westinghouse Laboratory in Paris at the same time when researchers at AT&T Bell Laboratories in Murray Hill/N.J., published their transistor work and subsequently won the fame and the Nobel Prizes. Dr. Mataré, who obtained doctoral degrees in Electronics and Solid State Physics from TU Berlin and ENS Paris, respectively, now lives at the age of 96 in Malibu/California. He worked with Dr. Welker on semiconductors already in 1943 and 1944 in Silesia, Germany. Interrupted by the end of the war he continued the research at the Westinghouse Laboratories in Paris where he was able to measure the first amplification effects in early 1948 with a patent submitted on August 13th, 1948, without knowing about the work at Bell Labs. It is therefore quite clear that Mataré and Welker invented the transistor, which the French called the transistron , in parallel to Shockley, Bardeen and Brattain, a fact which went widely unnoticed save for two articles in the NEW YORK TIMES and IEEE SPECTRUM.

    The transistor as a device that can both amplify an electrical signal and effectively switch it on or off has had a tremendous influence on the electronic age. Before the invention of the transistor, such functions were handled by bulky, energy consuming and unreliable vacuum tubes. Today billions of such functions are performed in very large scale integrated devices based on the basic transistor functions.

    Back in Germany Dr. Mataré founded in 1952 the company Intermetall. In 1953 Intermetall exhibited a working prototype of a transistor radio, with earphones, at a trade fair in Düsseldorf. Intermetall s prototype preceded the first American transistor radio by more than a year and was two years ahead of the Sony TR1, which helped starting the Japanese consumer eletronics industry.

    Dr. Mataré has made many more significant contributions in electrical engineering and Information technologies such as radar amplifiers, electro-optical TV transmission and solar photovoltaics.
     
     
     
    Prof. Dr. Dr. E.h. Joachim Hagenauer,
    Techn. Universität München

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